China Semicondutor de alta potência

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  Semicondutor de alta tensão de baixa vazagem para carga de pilhas

  Eficiência:Eficiência elevada

  Tipo:N

  Fugas:Baixo escapamento

  contacto
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  Semicondutores de alta potência de canal N com baixa capacidade de junção de baixa vazamento

  Tipo:N

  Fugas:Baixo escapamento

  Eficiência:Eficiência elevada

  contacto
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  IGBT de alta potência de baixo vazamento N Channel para aplicações industriais

  Eficiência:Eficiência elevada

  Tipo:N

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  contacto
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  Tipo N Projeto de semicondutor de alta potência TO-220F com capacidades de comutação rápida

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  Eficiência:Eficiência elevada

  Luz alta:Os semicondutores de potência de alta tensão são caracterizados por sua capacidade de lidar com alta

  contacto
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  MOSFET de alta potência de baixo vazamento N canal TO-220F TO-263C TO-247AC

  Resistência à temperatura:Resistência à alta temperatura

  Voltagem:Alta tensão

  Luz alta:Os semicondutores de potência de alta tensão são caracterizados por sua capacidade de lidar com alta

  contacto
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  Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência

  Consumo de energia:Perda de baixa potência

  Estado sem chumbo:ROHS

  Resistência:Baixo RDS (SOBRE)

  contacto
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  MOSFETs de baixa capacidade de junção tipo N para eficiência energética avançada

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  Eficiência:Eficiência elevada

  Tipo:N

  contacto
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  Potência de baixa capacidade de junção N canal semicondutor

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  Eficiência:Eficiência elevada

  Resistência à temperatura:Resistência à alta temperatura

  contacto
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  Voltagem de baixa capacidade de junção IGBT para temperatura com baixa fuga

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  Eficiência:Eficiência elevada

  Tipo:N

  contacto
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  Baixo vazamento Baixa capacidade de junção Alta temperatura Resistência Voltagem N Canal de energia Semicondutor

  Fugas:Baixo escapamento

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

  Luz alta:Os semicondutores de potência de alta tensão são caracterizados por sua capacidade de lidar com alta

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  MOSFET de potência com resistência a altas temperaturas, baixa fuga e baixa capacidade de junção

  Tipo:N

  Voltagem:Alta tensão

  Luz alta:Os semicondutores de potência de alta tensão são caracterizados por sua capacidade de lidar com alta

  contacto
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  Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

  Voltagem:Alta tensão

  Vantagens:Processo estável e qualidade confiável

  Capacidade de junção:Capacidade de junção baixa

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