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Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

Name: Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Todos os Produtos

Inversor IGBT
(37)

IGBT de alta potência
(38)

MOSFET do poder superior
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MOSFET de Super Junção
(48)

MOSFET de baixa tensão
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MOSFET de alta tensão
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Diodos de barreira de Schottky
(80)

Diodos de recuperação rápida
(49)

Baixo FV Schottky
(65)

Semicondutor de alta potência
(28)

MOSFET de carboneto de silício
(21)

SBD de carburo de silício
(21)

Certificado

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações

Revisões do cliente

Ótimo produto, exatamente como descrito, correio rápido e ótimo serviço.

—— minifux1

muito rápido envio, bem embalado e estes cabos são definitivamente de alta qualidade! não compraram em nenhum outro lugar e continuará a obter meus cabos deste vendedor! AAA+++

—— - O que foi?

Excelente serviço como de costume, já comprei deste vendedor várias vezes.

—— Sophia, não.

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Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

Imagem Grande : Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	Lingxun
Certificação:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	De acordo com o seu pedido
Preço:	According to your order requirement
Detalhes da embalagem:	Tube+Carton
Tempo de entrega:	De acordo com o seu pedido
Termos de pagamento:	T/T
Habilidade da fonte:	600KK/ano

Contato

Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

descrição

Voltagem:	Alta tensão	Vantagens:	Processo estável e qualidade confiável
Capacidade de junção:	Capacidade de junção baixa	Eficiência:	Eficiência elevada
Características:	Baixa RDS ((on) por área de chip ((Low FOM)	Aplicações:	Inversores solares, fonte de alimentação AC-DC
Destacar:	Semicondutor de alta potência N canal , Canal N de alta potência , Semicondutor de alta potência de canal N

Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

Características

• Baixa taxa de entrada

• RDS baixo ((on) por área de chip ((Low FOM)

• Perda de comutação e condução muito baixa

• Extremamente elevada robustez de comutação

Aplicações

• Inversores solares

• TV LCD/LED/PDP

• Fornecimentos eléctricos de telecomunicações/servidores

• Fornecimento de energia AC-DC

etiqueta:

Semicondutores de alta tensão,

MOSFET do poder superior,

IGBT de alta potência

Contacto

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Pessoa de Contato: Mrs. Qinqin

Telefone: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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Semicondutor de alta tensão de tipo N de alta potência com baixa fuga

Resistência à temperatura: Resistência à alta temperatura

Tipo: N

Luz alta: Os semicondutores de potência de alta tensão são caracterizados por sua capacidade de lidar com alta

Capacidade de junção: Capacidade de junção baixa

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Aplicações: Topologias de comutação suave, telecomunicações e fontes de alimentação

Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

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