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TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

Certificado
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
Revisões do cliente
Ótimo produto, exatamente como descrito, correio rápido e ótimo serviço.

—— minifux1

muito rápido envio, bem embalado e estes cabos são definitivamente de alta qualidade! não compraram em nenhum outro lugar e continuará a obter meus cabos deste vendedor! AAA+++

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TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ
TO-220F Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors 15A 600V 274mΩ
TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

Imagem Grande :  TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Lingxun
Certificação: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Número do modelo: LC60R280F
Documento: About Lingxun(1).pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: De acordo com o seu pedido
Preço: According to your order requirement
Detalhes da embalagem: Confirmar o pacote com base no número da peça
Tempo de entrega: De acordo com o seu pedido
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 600KK/ano

TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

descrição
Identificação: 15A VDSS: 600 V
Tipo RDSON VGS=10V: 274 mΩ Aplicações: Inversores solares, TV LCD/LED/PDP, Telecomunicações/Servidores
Tensão da Porta-fonte (VGS): ±30V Resistência: Baixa resistência
Tipo de embalagem: TO-220F
Destacar:

Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores

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TO-220F Semicondutor de óxido metálico

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Transistores de efeito de campo 15A

15A 600V 274mΩ TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor

 

MOSFET de superjunção de canal N

 

Número da peça: LC60R280F

 

Embalagem:TO-220F

 

Características principais
Eu...D- Não, não.
VDSS:600 V
Tipo RDSON VGS=10V:274mΩ
 
 
Características
• Baixa taxa de entrada
• RDS baixo ((on) por área de chip ((Low FOM)
• Perda de comutação e condução muito baixa
• Extremamente elevada robustez de comutação
 
Aplicações
• Inversores solares
• TV LCD/LED/PDP
• Fornecimentos de energia de telecomunicações/servidores
• Fornecimento de energia AC-DC
 
TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ 0
 
 
TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ 1
 
 
 
TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ 2
 
 
 

Q1. Quem somos nós?

A: Estamos baseados em Guangdong, China, fábrica iniciada em 2012, é uma empresa nacional de alta tecnologia que se concentra na embalagem e teste de dispositivos de semicondutores de potência.Atualmente tem mais de 180 tem mais de 180 funcionários e mais de 10000 metros quadrados de áreaFornecemos mais de 600 KK de alta qualidade de dispositivos semicondutores de energia por ano.

 

Q2.Qual é a sua linha de produtos?

R: As principais linhas de produção existentes incluem a Schottky, a Schottky de baixa frequência, os diodos de recuperação rápida, a Mosfet de alta tensão, a Mosfet de média e baixa tensão, a Mosfet de super junção, a IGBT,Diodo de barreira de curta duração de SiC e Sic Mosfet etc..

 

Q3.Qual é a aplicação do seu produto?

R: Amplamente utilizado em vários campos, tais como adaptadores de energia, iluminação LED, motores sem escovas, gestão de baterias de lítio, inversores, armazenamento de energia e pilha de carregamento, etc.

 

Q4.Qual é a sua vantagem competitiva?

A:1.Fábrica de capacidades fortes. Temos a nossa própria fábrica de montagem e teste, investimento fixo superior a 70 milhões de yuans. Tendo o equipamento de ligação de fio automatizado superior,fornecer mais de 600KK dispositivos de energia de semicondutores anualmente.

2. Vantagens dos serviços,um sistema de abastecimento estável,um abastecimento sustentável e estável de produtos.O nosso próprio laboratório pode cooperar rápida e eficazmente com a validação.

3. Garantia da qualidade,Fábrica digital do sistema MES mais comum no campo da embalagem e do teste, certificada pela versão ISO9001 2015 e pela IATF16949.

4. Melhoria do produto, Pesquisa e desenvolvimento contínuos de novas especificações e formas de embalagem para satisfazer as necessidades de aplicação de mais clientes.

 

Q5. Quais são os seus termos de embalagem?

R:Normalmente, diferentes embalagens têm embalagens diferentes.TO-252/263 é bobina+saco selado+caixa interna+cartão.TO-220/247 é tubo+caixa interna+cartão.

 

Q6.Qual é o seu MOQ?

A: Nós fornecemos amostras para cada item. MOQ depende da sua quantidade de pedido.

 

Q7.Qual é a sua garantia de qualidade?

A: Oferecer amostras para teste. Certifique-se de que o produto a granel é consistente com a amostra. Se houver alguma alteração, a amostra será fornecida novamente para teste.100% de teste e verificação de todos os produtos antes da entrega.

 

Q8.Aceita a personalização?

A: Sim, mande-me a sua exigência!

 

Q9.Como posso contactar-vos?

R:Envie os detalhes da sua consulta na secção abaixo, clique em Enviar, AGORA!!!

Se tiver mais dúvidas, por favor, sinta-se à vontade para contactar-nos.

 

 

Contacto
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Pessoa de Contato: Mrs. Qinqin

Telefone: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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