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MOSFET de Super Junção

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China MOSFET de Super Junção

650V Smartphones Super Junção de Resistência Inferior Mosfet Para PFC

Margem do IEM:Grande EMI Margin

Fabricante:Lingxun

Aplicação:Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores
Dispositivos discretos de potência estável com ultra baixa resistência e grande margem EMI

Luz alta:100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado

Aplicação:Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores

Tipo:N
Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

Luz alta:100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado

Margem do IEM:Grande EMI Margin

Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos do poder
Mosfet de super junção tipo N para fontes de alimentação de telecomunicações / servidores

Tipo:N

Margem do IEM:Grande EMI Margin

Aplicação:Fornecedores de energia de telecomunicações / servidores
Eletrônica MOSFET avançado de superjunção em fontes de alimentação ininterruptas

Luz alta:100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado

Aplicação:Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores

Margem do IEM:Grande EMI Margin
Fornecedores de energia de telecomunicações / servidores Sj Mosfet Alto desempenho

Tipo:N

Fabricante:Lingxun

Luz alta:100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado
7A 650V Grande Margem EMI N Canal MOSFET LC65R600F

Aplicação:Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores

Fabricante:Lingxun

Margem do IEM:Grande EMI Margin
20A 650V Super Junction Mos para fontes de alimentação de servidores de telecomunicações

Luz alta:100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado

Fabricante:Lingxun

Tipo de dispositivo:Dispositivos discretos do poder
Potência Grande Margem EMI Super Mosfet 100% Avalanche Testado

Tipo:N

Margem do IEM:Grande EMI Margin

Fabricante:Lingxun
4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance HV Transistor

Identificação:4a

Tensão da Dreno-fonte:650 V

Tipo RDSON VGS=10V:880 mΩ
MOSFET de Super Junção de Alta Corrente Mos 47A 600V 68mΩ

Identificação:47A

Tensão da Dreno-fonte:600 V

Tipo RDSON VGS=10V:68mΩ
20A 650V 150mΩ MOSFET de super junção de baixo Ciss para fontes de alimentação

Identificação:20A

Tensão da Dreno-fonte:650 V

Tipo RDSON VGS=10V:150mΩ

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