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Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

Certificado
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
Revisões do cliente
Ótimo produto, exatamente como descrito, correio rápido e ótimo serviço.

—— minifux1

muito rápido envio, bem embalado e estes cabos são definitivamente de alta qualidade! não compraram em nenhum outro lugar e continuará a obter meus cabos deste vendedor! AAA+++

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Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N
Telecom Power Discrete Devices Super Junction MOSFET N Type
Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

Imagem Grande :  Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

Detalhes do produto:
Place of Origin: China
Marca: Lingxun
Certificação: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento: About Lingxun(1).pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: De acordo com o seu pedido
Preço: According to your order requirement
Detalhes da embalagem: Confirmar o pacote com base no número da peça
Tempo de entrega: De acordo com o seu pedido
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 600KK/ano

Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N

descrição
Luz alta: 100% Avalanche testado muito menor RON*A Performance para a eficiência no estado Margem do IEM: Grande EMI Margin
Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos do poder Aplicação: Fornecedores de energia de telecomunicações / servidores
Fabricante: Lingxun Tipo: N
Destacar:

MOSFET de Superjunção de Energia de Telecomunicações

,

MOSFET de superjunção de tipo N

,

Discreto dispositivos Super Junção MOSFET


Dispositivos discretos de potência MOSFET de super junção com tipo N e grande margem EMI

 

 

Descrição do produto:

Uma das principais vantagens do Super Junction MOSFET é o seu design 100% testado em avalanche, que garante uma operação fiável mesmo nas condições mais difíceis.Isto faz com que seja uma escolha ideal para telecomunicações e servidores de energia, onde a fiabilidade é absolutamente crítica.

Graças ao seu design de super-junção exclusivo, este MOSFET oferece muito menor resistência no estado do que os MOSFETs tradicionais, resultando em maior eficiência e menor dissipação de energia.A sua alta velocidade de comutação e baixa carga do portão ajudam a minimizar as perdas de comutação, resultando em ganhos de eficiência ainda maiores.

Quando se trata de aplicações de fonte de alimentação de modo de comutação, o Super Junction MOSFET é a escolha perfeita para designers que buscam alta eficiência, confiabilidade e desempenho.A sua tecnologia avançada de super-junção e o design 100% testado em avalanche tornam-no um dos MOSFETs mais avançados e confiáveis do mercado hoje.

No geral, o Super Junction MOSFET da Lingxun é um dispositivo discreto de potência de alto desempenho que foi projetado especificamente para uso em aplicações de fonte de alimentação em modo de interruptor.A sua tecnologia avançada de super-junção, 100% design testado em avalanche, e alta eficiência tornam-no uma escolha ideal para fontes de energia de telecomunicações e servidores,bem como uma ampla gama de outras aplicações que exigem comutação de potência de alto desempenho.

 

Características:

  • Nome do produto: Super Junction MOSFET
  • Margem de EMI: Margem de EMI elevada
  • Aplicação: Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores
  • Tipo: N
  • Fabricante: Lingxun
  • Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos de potência
  • 100% testado em avalanche
  • Excelente taxa de entrada
  • Apto para inversores solares
 

Parâmetros técnicos:

Fabricante Lingxun
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energia
Tipo N
Aplicação Fontes de alimentação de telecomunicações/servidores
Iluminação elevada 100% testado em avalanche
Performance muito menor RON*A para a eficiência em estado
Emi Margin Margem de EMI elevada
Descrição Confiável e robusto
Balasto eletrónico
Projeto de junção de alta densidade
 

Aplicações:

O Lingxun Super Junction MOSFET é um dispositivo de tipo N que oferece desempenho Ron * A muito menor para eficiência em estado, tornando-se uma opção ideal para comutação de alta frequência.Este produto é perfeito para uma variedade de ocasiões e cenários, incluindo:

  • Sistemas de energia renovável
  • Sistemas de controlo de motores
  • Sistemas de iluminação LED
  • Sistemas de controlo industriais
  • Fontes de alimentação

Quer estejamos a projetar um sistema para uma fábrica, a criar um sistema de energia renovável para uma casa ou uma empresa, ou a alimentar um sistema de iluminação LED,o Lingxun Super Junction MOSFET é uma ótima escolhaEste produto oferece um desempenho Ron*A muito mais baixo para a eficiência no estado, reduzindo o consumo de energia e melhorando o desempenho geral do sistema.A grande margem do IME garante que o seu sistema funcione de forma fiável, mesmo em ambientes de alto stress.

No geral, o Lingxun Super Junction MOSFET é um dispositivo discreto de energia versátil e confiável que é perfeito para uma variedade de aplicações.um sistema de controlo do motorInvestir no Lingxun Super Junction MOSFET hoje e experimentar comutação de energia confiável, eficiente e de alto desempenho!

 

Personalização:

- Marca: Lingxun

- Local de origem: China

- Aplicação: Fornecimentos de energia de telecomunicações/servidores

- Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos de potência

- Destaque: 100% Avalanche testado, muito menor desempenho RON*A para eficiência em estado, muito menor FOM para eficiência de comutação rápida

- Tipo: N

- Fabricante: Lingxun

Nosso produto Super Junction MOSFET é a solução perfeita para aqueles que procuram Ultra Low-On-Resistance e alto desempenho em aplicações de Fornecimento de Energia Ininterruptível.Contacte-nos para saber mais sobre os nossos serviços de personalização.

 

Apoio e Serviços:

- Selecção e recomendação de produtos com base nas necessidades e especificações do cliente

- Documentação técnica e fichas de dados para informações e especificações do produto

- Apoio e orientação de aplicações para um desempenho óptimo do produto

- Assistência em resolução de problemas de produto

- Formação e educação sobre produtos para clientes e parceiros

- Soluções personalizadas e apoio ao projecto para aplicações específicas

- Garantia da qualidade e ensaios de fiabilidade para o desempenho e a longevidade dos produtos

 

Dispositivos discretos de potência de telecomunicações Superjunção MOSFET tipo N 0

Q1. Quem somos nós?

A: Estamos baseados em Guangdong, China, fábrica iniciada em 2012, é uma empresa nacional de alta tecnologia que se concentra na embalagem e teste de dispositivos de semicondutores de potência.Atualmente tem mais de 180 tem mais de 180 funcionários e mais de 10000 metros quadrados de áreaFornecemos mais de 600 KK de alta qualidade de dispositivos semicondutores de energia por ano.

 

Q2.Qual é a sua linha de produtos?

R: As principais linhas de produção existentes incluem a Schottky, a Schottky de baixa frequência, os diodos de recuperação rápida, a Mosfet de alta tensão, a Mosfet de média e baixa tensão, a Mosfet de super junção, a IGBT,Diodo de barreira de curta duração de SiC e Sic Mosfet etc..

 

Q3.Qual é a aplicação do seu produto?

A: Amplamente utilizado em vários campos, tais como adaptadores de energia, iluminação LED, motores sem escovas, gestão de baterias de lítio, inversores, armazenamento de energia e pilha de carregamento, etc.

 

Q4.Qual é a sua vantagem competitiva?

A:1.Fábrica de capacidades fortes. Temos a nossa própria fábrica de montagem e teste, investimento fixo superior a 70 milhões de yuans. Tendo o equipamento de ligação de fio automatizado superior,fornecer mais de 600KK dispositivos de energia de semicondutores anualmente.

2. Vantagens dos serviços,um sistema de abastecimento estável,um abastecimento sustentável e estável de produtos.O nosso próprio laboratório pode cooperar rápida e eficazmente com a validação.

3. Garantia da qualidade,Fábrica digital do sistema MES mais convencional no campo da embalagem e do teste, certificada pela versão ISO9001 2015 e pela IATF16949.

4. Melhoria do produto, Pesquisa e desenvolvimento contínuos de novas especificações e formas de embalagem para satisfazer as necessidades de aplicação de mais clientes.

 

Q5. Quais são os seus termos de embalagem?

R:Normalmente, diferentes embalagens têm embalagens diferentes.TO-252/263 é bobina+saco selado+caixa interna+cartão.TO-220/247 é tubo+caixa interna+cartão.

 

Q6.Qual é o seu MOQ?

A: Nós fornecemos amostras para cada item. MOQ depende da sua quantidade de pedido.

 

Q7.Qual é a sua garantia de qualidade?

A: Oferecer amostras para teste. Certifique-se de que o produto a granel é consistente com a amostra. Se houver alguma alteração, a amostra será fornecida novamente para teste.100% de teste e verificação de todos os produtos antes da entrega.

 

Q8.Aceita a personalização?

A: Sim, mande-me a sua exigência!

 

Q9.Como posso contactar-vos?

R:Envie os detalhes da sua consulta na secção abaixo, clique em Enviar, AGORA!!!

Se tiver mais dúvidas, por favor, sinta-se à vontade para contactar-nos.

Contacto
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Pessoa de Contato: Mrs. Qinqin

Telefone: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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