China MOSFET de baixa tensão

MOSFET de baixa tensão de 100 V com material de silício e certificação RoHS

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema

Materiais:Silício

Estado sem chumbo:ROHS
150V MOSFETS de baixa tensão Robustez térmica para circuitos de sinal misto

Consumo de energia:Perda de baixa potência

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema

Materiais:Silício
30V MOSFET de baixa tensão Componentes vitais em conversores e reguladores DC-DC

Materiais:Silício

Consumo de energia:Perda de baixa potência

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema
Interruptores de carga em dispositivos movidos a bateria MOSFET de baixa tensão 60V

Consumo de energia:Perda de baixa potência

Estado sem chumbo:ROHS

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)
40V MOSFET de baixa tensão chips semicondutores alta velocidade de comutação

Materiais:Silício

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)

Pacote:PDFN5*6,TO-220C
Eficiência energética Tecnologia avançada de trincheiras MOSFET de baixa tensão

Pacote:TO-252,TO-220C,TO-220F

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema

Materiais:Silício
Mosfet de baixa tensão com baixo RDS no silício

Materiais:Silício

Pacote:TO-252,TO-220F

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema
Baixo Rds em silício Baixo limite de tensão Mosfet durável

Materiais:Silício

Estado sem chumbo:ROHS

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)
TO-220AB Automóvel Porta de baixa tensão Mosfet Flexível

Materiais:Silício

Pacote:TO-220AB

Estado sem chumbo:ROHS
Segurança do Mosfet sem chumbo

Estado sem chumbo:ROHS

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)
TO-220C Mosfets de baixa potência Dispositivos eletrônicos Eficiência do sistema melhorada

Estado sem chumbo:ROHS

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema
Baixo consumo de silício Mosfet de baixo limiar em dispositivos movidos a bateria

Vantagens:Melhoria da eficiência do sistema

Estado sem chumbo:ROHS

Resistência:Baixo RDS (SOBRE)

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40V MOSFET de baixa tensão chips semicondutores alta velocidade de comutação

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Mosfet de baixa tensão com baixo RDS no silício

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