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Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

Certificado
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificações
Revisões do cliente
Ótimo produto, exatamente como descrito, correio rápido e ótimo serviço.

—— minifux1

muito rápido envio, bem embalado e estes cabos são definitivamente de alta qualidade! não compraram em nenhum outro lugar e continuará a obter meus cabos deste vendedor! AAA+++

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Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação
Heat Dissipation Super Junction MOSFET Multiscene Cool Mos For Lighting
Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

Imagem Grande :  Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Lingxun
Certificação: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento: About Lingxun(1).pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: De acordo com o seu pedido
Preço: According to your order requirement
Detalhes da embalagem: Pacote de confirmação baseado no produto
Tempo de entrega: De acordo com o seu pedido
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 600KK/ano

Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

descrição
Tipo: N Fabricante: Lingxun
Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos do poder Intervalo de temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C
Tensão da Porta-fonte (VGS): ±30V Características: Alta tensão, baixa resistência, comutação rápida
Tipo de embalagem: TO-220 Margem do IEM: Grande EMI Margin
resistência interna: Resistência interna ultra pequena
Destacar:

MOSFET de superjunção de dissipação de calor

,

MOSFET de Super Junção Multiscene

,

Multiscene Cool Mos

 

Dissipação de calor Super Junção MOSFET Multiscene Cool Mos Para iluminação

Descrição do produto:

Um dos principais atributos deste MOSFET é sua grande margem EMI. Esta característica permite que ele ofereça um desempenho confiável mesmo em ambientes com altos níveis de interferência eletromagnética.Isto torna-o altamente adequado para utilização em aplicações que exigem um elevado grau de imunidade ao ruído, tais como sistemas de controlo de motores e fontes de alimentação.

Outra característica notável do Super Junction MOSFET é a sua classificação 100% testada em avalanche.Isto significa que o dispositivo foi amplamente testado para garantir que pode suportar níveis elevados de tensão elétrica sem sofrer danosCom esta característica, os utilizadores podem ter a certeza de que o MOSFET irá proporcionar um desempenho consistente mesmo em condições de funcionamento adversas.

O Lingxun Super Junction MOSFET também possui uma robustez de comutação muito alta, tornando-o ideal para uso em aplicações de alta voltagem.Esta característica garante que o MOSFET possa suportar altos níveis de picos de tensão sem quebrar ou sofrer danosIsto torna-o altamente adequado para utilização em fontes de alimentação, sistemas de iluminação e aplicações de controlo de motores.

Por fim, o Super Junction MOSFET possui desempenho Ron*A muito menor para eficiência em estado.tornando-o altamente eficienteEsta característica torna o MOSFET ideal para utilização em aplicações em que a eficiência energética é uma prioridade máxima, como sistemas de energia solar e veículos elétricos.

Em conclusão, se você está procurando um MOSFET confiável, eficiente e de alto desempenho para suas aplicações de energia, o MOSFET Lingxun Super Junction é uma excelente escolha.Com a sua grande margem de EMI, 100% de classificação testada em avalanche, muito alta robustez de comutação e desempenho Ron*A muito menor para eficiência em estado,Este MOSFET é certo para fornecer um desempenho consistente e confiável em uma variedade de aplicações.

 

Características:

  • Nome do produto: Super Junction MOSFET
  • Aplicação: Fornecedores de energia de telecomunicações/servidores
  • Margem de EMI: Margem de EMI elevada
  • Tipo de dispositivo: Dispositivos discretos de potência
  • Tipo: N
  • Destaque: 100% Avalanche testado
  • Destaque: Performance muito menor de RON*A para eficiência em estado
  • A resistência à comutação é muito elevada
  • Energia renovável
  • Fonte de alimentação em modo
 

Aplicações:

Uma das principais características do Lingxun Super Junction MOSFET é o seu design 100% testado em avalanche, o que garante a máxima fiabilidade e segurança.Este dispositivo possui um desempenho Ron*A muito menor para a eficiência em estado, tornando-a uma excelente escolha para aplicações que consomem energia.

Alimentado pela nova tecnologia proprietária de Super-Junção da Lingxun, este MOSFET oferece desempenho e confiabilidade excepcionais em uma ampla gama de cenários.Se você está construindo uma fonte de energia de telecomunicações ou servidor, o Lingxun Super Junction MOSFET é a escolha perfeita.

Com a sua grande margem de EMI, este dispositivo foi concebido para proporcionar um desempenho superior mesmo em ambientes desafiadores.Você pode confiar que este MOSFET irá fornecer desempenho confiável dia após dia.

Então, se você está procurando um MOSFET de alta qualidade para o seu próximo projeto, não procure mais do que o MOSFET de Super Junção Lingxun.Este aparelho é certo para exceder as suas expectativas.

 

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Q1. Quem somos nós?

A: Estamos baseados em Guangdong, China, fábrica iniciada em 2012, é uma empresa nacional de alta tecnologia que se concentra na embalagem e teste de dispositivos de semicondutores de potência.Atualmente tem mais de 180 tem mais de 180 funcionários e mais de 10000 metros quadrados de áreaFornecemos mais de 600 KK de alta qualidade de dispositivos semicondutores de energia por ano.

 

Q2.Qual é a sua linha de produtos?

R: As principais linhas de produção existentes incluem a Schottky, a Schottky de baixa frequência, os diodos de recuperação rápida, a Mosfet de alta tensão, a Mosfet de média e baixa tensão, a Mosfet de super junção, a IGBT,Diodo de barreira de curta duração de SiC e Sic Mosfet etc..

 

Q3.Qual é a aplicação do seu produto?

R: Amplamente utilizado em vários campos, tais como adaptadores de energia, iluminação LED, motores sem escovas, gestão de baterias de lítio, inversores, armazenamento de energia e pilha de carregamento, etc.

 

Q4.Qual é a sua vantagem competitiva?

A:1.Fábrica de capacidades fortes. Temos a nossa própria fábrica de montagem e teste, investimento fixo superior a 70 milhões de yuans. Tendo o equipamento de ligação de fio automatizado superior,fornecer mais de 600KK dispositivos de energia de semicondutores anualmente.

2. Vantagens dos serviços,um sistema de abastecimento estável,um abastecimento sustentável e estável de produtos.O nosso próprio laboratório pode cooperar rápida e eficazmente com a validação.

3. Garantia da qualidade,Fábrica digital do sistema MES mais comum no campo da embalagem e do teste, certificada pela versão ISO9001 2015 e pela IATF16949.

4. Melhoria do produto, Pesquisa e desenvolvimento contínuos de novas especificações e formas de embalagem para satisfazer as necessidades de aplicação de mais clientes.

 

Q5. Quais são os seus termos de embalagem?

R:Normalmente, diferentes embalagens têm embalagens diferentes.TO-252/263 é bobina+saco selado+caixa interna+cartão.TO-220/247 é tubo+caixa interna+cartão.

 

Q6.Qual é o seu MOQ?

A: Nós fornecemos amostras para cada item. MOQ depende da sua quantidade de pedido.

 

Q7.Qual é a sua garantia de qualidade?

A: Oferecer amostras para teste. Certifique-se de que o produto a granel é consistente com a amostra. Se houver alguma alteração, a amostra será fornecida novamente para teste.100% de teste e verificação de todos os produtos antes da entrega.

 

Q8.Aceita a personalização?

A: Sim, mande-me a sua exigência!

 

Q9.Como posso contactar-vos?

R:Envie os detalhes da sua consulta na secção abaixo, clique em Enviar, AGORA!!!

 

 

Contacto
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Pessoa de Contato: Mrs. Qinqin

Telefone: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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